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    • 专利摘要:
    一種熱處理爐包含：處理室用以在其中容納至少一待處理的目標物：圓柱形熱絕緣構件，罩覆該處理室的外緣；及加熱器，沿著該熱絕緣構件的內圓周表面設置。該加熱器包含沿著該熱絕緣構件之該內圓周表面設置的帶狀皺折加熱器構件，該加熱器構件的每一者皆具有向外突伸的谷部與向內突伸的峰部。
    公开号:TW201305520A
    申请号:TW101120739
    申请日:2012-06-08
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Makoto Kobayashi；Kenichi Yamaga；Akira Sasaki；Daisuke Ikeda；Takahiro Koike
    申请人:Nichias Corp；Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    熱處理爐及熱處理設備【交互參考之相關申請案】
    本申請案主張2011年6月21日向日本專利局申請之日本專利案2011-137428作為優先權母案，將其所有內容包含於此作為參考。
    本發明係關於熱處理爐及具有熱處理爐的熱處理設備。
    在製造半導體元件時會使用到各種熱處理設備於目標半導體晶圓上進行處理如氧化、擴散與CVD(化學氣相沈積)。一般而言，熱處理設備包含用以在其中容納半導體晶圓的處理室、覆蓋處理室外緣的圓柱形熱絕緣構件以及具有設置在熱絕緣構件之內圓周表面處之加熱器以加熱容納於處理室中之半導體晶圓的熱處理爐。
    例如針對批次式熱處理設備用的加熱器而言，使用受到沿著圓柱形熱絕緣構件之內壁設置之支撐件支撐且將爐內部加熱至約800度C至約1000度C之溫度範圍的加熱器構件。又，藉著將例如陶瓷纖維所製成的絕緣材料烤成圓柱形來製造熱絕緣構件，藉此可減少因熱輻射或熱傳導所散失的熱且可達到有效率的加熱。又，支撐件係由例如陶瓷所製成並以預定間距支撐加熱器構件，使得加熱器構件得以熱膨脹或收縮。
    同時，加熱器構件係設置在圓柱形熱絕緣構件的內圓周表面處，使得熱絕緣構件之內圓周表面被垂直地劃分成兩個半圓周表面時，每個半圓周表面處都設有一個加熱器構件。在此情況下，分別設置在第一與第二半圓周表面處的第一與第二加熱器構件獨立地操作。
    又，每個加熱器構件具有設置在複數梯級中且每一者沿著圓周方向延伸的複數個柱狀部以及沿著垂直方向延伸連接柱狀部的連接構件。
    然而，難以提供在熱絕緣構件之整個內圓周表面處設有上述配置的傳統加熱器構件，且難以利用此類的加熱器構件來均勻地加熱半導體晶圓。
    本發明提供一種熱處理爐與使用此熱處理爐的熱處理設備，其中加熱器構件係設置在熱絕緣構件的整個內圓周表面上，俾以均勻地加熱晶圓並可避免應力集中在加熱器構件上。
    根據本發明的一態樣，提供一種熱處理爐，包含：處理室，用以在其中容納至少一待處理的目標物；圓柱形熱絕緣構件，罩覆該處理室的外緣；及加熱器，沿著該熱絕緣構件的內圓周表面設置，其中該加熱器包含沿著該熱絕緣構件之該內圓周表面設置的帶狀皺折加熱器構件，該加熱器構件的每一者皆具有向外突伸的谷部與向內突伸的峰部。
    根據本發明的另一態樣，提供一種熱處理設備，包含：熱處理爐，具有用以在其中容納一或多個待處理之目標物的處理室，該熱處理爐的下端開放以形成容器開口；罩蓋，用以開啟或關閉該容器開口；支撐單元，載於該罩蓋上並用以在其間以複數梯級方式裝載該待處理之目標物；及舉升機構，用以垂直地移動該支撐單元與該罩蓋以開啟或關閉該容器開口而將該支撐單元載入該處理室中或自該處理室卸載。該熱處理爐包含：圓柱形熱絕緣構件，罩覆該處理室的外緣；及加熱器，沿著該熱絕緣構件的內圓周表面設置，其中該加熱器包含沿著該熱絕緣構件的該內圓周表面設置的帶狀皺折加熱器構件，該加熱器構件的每一者皆具有向外突伸的谷部與向內突伸的峰部。
    此後將參考附圖來詳細說明本發明之實施例。圖1顯示根據本發明一實施例之熱處理設備的概略縱剖面圖。圖2顯示熱絕緣構件與加熱器構件的放大橫剖面圖。圖3A顯示熱絕緣構件與加熱器構件的放大橫剖面圖，圖3B顯示其修改實施例的放大橫剖面圖。圖4顯示加熱器構件的安裝狀態。圖5顯示被安裝在熱絕緣構件之內圓周表面處之加熱器構件的透視圖。
    圖1中的參考標號1代表直立式熱處理設備，其為半導體製造設備的一種。熱處理設備1包含直立式熱處理爐2，熱處理爐2係用以每次在其中容納複數欲處理之目標物如半導體晶圓W並在目標物上進行熱處理如氧化、擴散與低壓CVD。熱處理爐2包含用以於其中容納晶圓W的筒形處理室3、覆蓋處理室3之外緣的圓柱形熱絕緣構件16以及沿著熱絕緣構件16之內圓周表面16a設置的加熱器5。
    熱處理設備1更包含底板6，底板上設有熱絕緣構件16。在底板6中形成有一開口7，處理室3經由開口7而自下側而被插入至上側。在開口7中，設置熱絕緣構件(未顯示)以覆蓋底板6與處理室3間的間隙。
    處理室3係由石英所製成且具有直立式長圓柱的形狀，此圓柱的上端封閉而下端開放而形成容器開口3a。在處理室3的開放端處形成有向外延伸的輪緣3b，輪緣3b藉由輪緣按壓構件(未顯示)而被底板6所支撐。在圖1中所示之處理室3的下部處設有入口接口(入口開口)8及氣體排放接口(氣體排放開口，未顯示)，處理氣體或惰性氣體係經由入口接口8而被導入至處理室3中，氣體排放接口係用以排放處理室3中的氣體。入口接口8係連接至氣體供應而氣體排放接口係連接至氣體排放系統，氣體排放系統具有能夠將處理室3之內部壓力降壓至約10 Torr至約10-8 Torr之範圍的真空泵。
    在處理室3的下側處設有用以上/下移動而開放/關閉處理室3之開放下端即容器開口3a的罩蓋10。罩蓋10可藉由舉升機構14而進行垂直移動。在罩蓋10的上部上載有用以熱絕緣容器開口3a的裝置例如熱絕緣容器11，且作為用以於其中以特定垂直間隔裝載複數約100-150片晶圓W之支撐單元的晶舟12係載於罩蓋10的上部上。每一晶圓W的直徑例如可以是300 mm。在罩蓋10處設有使晶舟12繞著其中央軸旋轉的旋轉構件13。藉著罩蓋10的向下移動將晶舟12自處理室3卸載至設置在處理室3之下側處的裝置區15，在載入晶圓W後，藉著罩蓋10的向上移動將晶舟12載入處理室3中。
    如圖2至5中所示，加熱器5包含沿著圓柱形熱絕緣構件16之內圓周表面16a螺旋設置的帶狀加熱器構件18，每一帶狀加熱器構件18係由具有向外突伸的谷部18a(朝向圓柱形熱絕緣構件16的內圓周表面16a延伸)與向內突伸的峰部18b(朝向處理室3的中央部)的皺折材料所製成。加熱器構件18的谷部18a與峰部18b的每一上端部係由彎折線58所構成。彎折線58朝向加熱器構件18的寬度方向L3(與長度方向L1垂直的方向)傾斜並與熱絕緣構件16的軸向方向L2重合。熱絕緣構件16係由無機纖維所製得，無機纖維包含例如氧化矽、氧化鋁或氧化矽鋁。
    加熱器構件18係由彎折加工處理所製得，即藉著使用上述的彎折線58來將加熱器構件18的基礎材料形成成彎折波形的處理。加熱器構件18的基礎材料係由例如Fe、Cr與Al的合金所製成；例如每一加熱器構件18具有約1 mm至約2 mm的厚度、約14 mm至約18 mm的寬度、約11 mm至約15 mm的波形振幅及約28 mm至約32 mm的波形間距。又，谷部18a與峰部18b的每一縱向角度約為90度，且在谷部18a與峰部18b的每一上端部上進行R-彎折。
    熱絕緣構件16之內圓周表面16a是平滑的且設有避免鬆脫谷部支撐銷20a與避免崩塌峰部支撐銷20b。避免鬆脫谷部支撐銷20a以預定間隔支撐其間之加熱器構件18的谷部18a俾使谷部18a可沿著徑向方向移動並同時避免其鬆脫而落入熱絕緣構件16的內部。避免崩塌峰部支撐銷20b支撐加熱器構件18的峰部18b以避免峰部18b崩塌。避免鬆脫谷部支撐銷20a與避免崩塌峰部支撐銷20b係部分埋置於熱絕緣構件中。
    在熱絕緣構件16之內圓周表面16a與加熱器構件18間形成有一間隙讓加熱器構件18能夠熱膨脹/收縮並進行徑向移動。又，當強迫冷卻加熱器構件18時，間隙讓冷卻劑能夠進入到加熱器構件18的後側，藉此更有效率地冷卻加熱器構件18。
    谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b的每一者包含一U形體20A與形成在U形體20A之兩端部處且耦合至熱絕緣構件16的避免鬆脫構件20B以避免谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b自熱絕緣構件16鬆脫。避免鬆脫構件20B可被設置在熱絕緣構件16的內部並耦合至熱絕緣構件16的內部(見圖3A)。或者，避免鬆脫構件20B可突出於熱絕緣構件16的外部以耦合至熱絕緣構件16的外表面(見圖3B)。
    谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b兩者都是由與加熱器構件18相同的材料所製得。
    此後，將參考圖6A至6K詳細說明谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b的形狀。
    如圖6A中所示，谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b具有相同的形狀，此形狀包含U形體20A及設置在U形體20A之兩端部處且耦合至熱絕緣構件16的避免鬆脫構件20B。U形體20A支撐谷部18a或峰部18b，且避免鬆脫構件20B係形成自向內彎折之U形體20A的兩端部。
    設置一谷部支撐銷20a以支撐每一谷部18a並避免對應的谷部18a鬆脫，針對每兩或三個峰部18b設置一峰部支撐銷20b以避免對應的峰部18b崩塌。
    接下來，將參考圖6B至6K來說明谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b的修改實施例。
    谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b的避免鬆脫構件20B對可形成自向內彎折且彼此交疊的之U形體20A的兩端部(見圖6B)。
    可藉著將分離的元件連接至U形體20A的兩端部或藉著利用分離的元件填入U形體20A兩端部，形成谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b的避免鬆脫構件20B(見圖6C與6D)。
    可藉著使U形體20A的兩端部形變來形成谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b的避免鬆脫構件20B(見圖6E與6F)。
    可藉著將U形體20A的兩端部向外彎折成對向的勾子來形成谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b的避免鬆脫構件20B(見圖6G)。
    可藉著將U形體20A的兩端部沿相反方向向外彎然後更進一步地將U形體20A的兩端部彎折90度，來形成谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b的避免鬆脫構件20B(見圖6H)。
    可藉著將U形體20A的兩端部的每一者彎折兩次來形成谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b的避免鬆脫構件20B(見圖6I)。
    可藉著將U形體20A的兩端部的每一者捲繞成螺旋形來形成谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b的避免鬆脫構件20B(見圖6J)。
    可藉著將U形體20A的兩端部沿著相反方向或相同方向向外彎折來形成谷部支撐銷20a與峰部支撐銷20b的避免鬆脫構件20B(見圖6K)。
    同時，為了維持熱絕緣構件16的形狀並強化熱絕緣構件16，如圖1中所示以金屬如不銹鋼所製得的外殼28罩覆熱絕緣構件16的外圓周表面。又，為了將熱效應限制在熱處理設備1的外部，以水冷外套30罩覆外殼28的外圓周表面。在熱絕緣構件16的上部處設置用以罩覆熱絕緣構件之上部的上熱絕緣構件31以及例如由不銹鋼所製成並用以罩覆外殼28之上部(上端部)的頂板32。
    為了藉著在熱處理後快速地冷卻晶圓W而改善熱處理設備1的處理速度與產量，熱絕緣構件16設有熱排放系統35與強迫冷卻單元36，熱排放系統35係用以排空熱絕緣構件16與處理室3間之空間33之內部氛圍的外部而強迫冷卻單元36係用以藉著將常溫即20度C至30度C的的冷卻劑導入空間33中以強迫冷卻空間33。熱排放系統35包含例如設置在熱絕緣構件16之上部處的熱排放接口37以及連接至熱排放接口37與工廠排放系統(未顯示)的熱排放管(未顯示)。熱排放管可以設有排放吹風機(未顯示)與熱交換器(未顯示)。
    強迫冷卻單元36具有形成在熱絕緣構件16與外殼28間並以垂直方向設置的複數環形通道38以及形成在熱絕緣構件16中的冷卻劑注射開口40，開口40係用以將其間之冷卻劑沿著朝向熱絕緣構件16之徑向傾斜的方向注射至空間33中，藉此在空間33的圓周方向上產生渦流。藉著將帶狀或環形的熱絕緣構件附加至熱絕緣構件16的外圓周表面或者藉著切除熱絕緣構件16的外圓周表面的一部分而於其上形成環形溝槽，以形成環形通道38。在某些實施例中，可在垂直相鄰的加熱器構件18間形成通過熱絕緣構件16的冷卻劑注射開口40，俾使熱絕緣構件16的內部與外部在徑向方向上彼此溝通。藉著以上述方式在加熱器構件18間形成冷卻劑注射開口40，可在不干擾加熱器構件18的情況下將冷卻劑注射至空間33中。
    在外殼28的外圓周表面上沿著垂直方向設置用以將冷卻劑分配至環形通道38的共同供應管道49。在外殼28中形成溝通供應管道49與環形通道38的溝通開口，用以吸收與加壓饋送冷卻劑如空氣或氮氣的冷卻劑供應源(未顯示)係藉由開啟/關閉閥而連接至供應管道49。
    在加熱器構件18的兩端部處沿著熱絕緣構件16之內圓周表面16a螺旋設置終端22a與22b。終端22a與22b通過熱絕緣構件16、外殼28與水冷外套30並向外伸長。
    熱絕緣構件16與處理室3間的空間33中設置一或多個溫度感測器50並將來自溫度感測器50的訊號傳輸至控制器51。控制器51基於來自溫度感測器50的訊號來操控電源(未顯示)並藉著將來自電源的必要電功率供應至控制加熱器構件18以控制空間33的內部溫度。
    同時如圖7中所示，在熱絕緣構件16之內圓周表面16a上形成沿著熱絕緣構件16之垂直方向延伸的複數狹縫60。利用此結構，即便在加熱或冷卻作業期間熱絕緣構件16熱膨脹或收縮，因為狹縫60可吸收作用在熱絕緣構件16上的熱膨脹或收縮，故可避免過度的力量作用在熱絕緣構件16上。
    此處，熱絕緣構件16的垂直方向與圓柱形熱絕緣構件16的軸向重合，熱絕緣構件16的水平方向與垂直於熱絕緣構件16之軸向的方向重合。
    又，可使用如圖8中所示，熱絕緣構件16被垂直地劃分為二即被劃分為其間具有邊界表面61之第一熱絕緣構件16A與第二熱絕緣構件16B的結構。利用此類如圖8中所示的結構，即便在加熱或冷卻作業期間熱絕緣構件16熱膨脹或收縮，因為第一熱絕緣構件16A與第二熱絕緣構件16B間的邊界表面61可吸收作用在熱絕緣構件16上的熱膨脹或收縮，故可避免過度的力量作用在熱絕緣構件16上。
    雖然在上述實例中熱絕緣構件16被劃分成兩部分，但本發明不限為此，熱絕緣構件16可被劃分為三、四或任何數目的熱絕緣構件。
    如上所述，由於加熱器5具有沿著圓柱形熱絕緣構件16之內圓周表面16a螺旋設置的帶狀皺折加熱器構件18，加熱器構件18可設置在熱絕緣構件16之整個內圓周表面16a上，藉此均勻地加熱晶圓W。又，由於毋需對加熱器構件18提供垂直伸長的連接器，故可避免在加熱或冷卻操作期間的應力集中。
    下面將參考圖9A與9B來說明避免崩塌板62。在下面的實施例中，加熱器構件18的峰部18b係由峰部支撐銷20b所支撐。然而，本發明不限於此，峰部18b可由避免崩塌板62而非峰部支撐銷20b所支撐。
    圖9A與9B分別顯示了避免崩塌板62的部分透視圖與概略透視圖。如圖9A中所示，用以避免設置在熱絕緣構件16之內圓周表面16a上之加熱器構件18之峰部18b崩塌的避免崩塌板62係設置在熱絕緣構件16處。避免崩塌板62是例如由陶瓷所製成的方形板，在其他實施例中，在避免崩塌板62的端部處沿著縱向形成用以貫穿並固定熱絕緣構件16的銳部62a。避免崩塌板62水平地支撐加熱器構件18的下部，藉此避免加熱器構件18崩塌或懸垂。
    在上述的實施例中，加熱器構件18係設置在熱絕緣構件16之平滑內圓周表面16a。然而，加熱器構件18可設置在形成於熱絕緣構件16之內圓周表面16a上之螺旋溝槽中。
    本發明並不限於上述實施例，在本發明的範疇內可對設計進行各種變化。例如，可藉著連接由耐熱金屬如不銹鋼所製成的圓柱形歧管來形成處理室，且處理室在其下端部可具有入口管線部與氣體排放管線部。又，處理室可具有雙管結構。
    根據本發明，在某些實施例中，加熱器具有沿著圓柱形熱絕緣構件之內圓周表面螺旋設置的帶狀皺折加熱器構件。因此，加熱器構件可被設置在熱絕緣構件的整個內圓周表面上，藉此均勻地加熱晶圓。又，由於可移除加熱器構件之在加熱或冷卻作業期間應力進中的部分，因此可延長加熱器構件的整體壽命。
    雖然已參考了例示性實例說明了本發明的某些實施例，但本發明的範疇並不限於此。的確，本文中所述之新穎方法與設備可以各種其他形式實施之；又，在不脫離本發明之精神情況下可對文中所述的實施例進行各種形式與細節上的變化與取代。隨附之申請專利範圍與其等效物意在涵蓋落在本發明之範疇與精神內的此類形式或變化。
    W‧‧‧晶圓
    1‧‧‧熱處理設備
    2‧‧‧熱處理爐
    3‧‧‧處理室
    3a‧‧‧容器開口
    3b‧‧‧輪緣
    5‧‧‧加熱器
    6‧‧‧底板
    7‧‧‧開口
    8‧‧‧入口接口
    10‧‧‧罩蓋
    11‧‧‧熱絕緣容器
    12‧‧‧晶舟
    13‧‧‧旋轉構件
    14‧‧‧舉升機構
    15‧‧‧裝置區
    16‧‧‧熱絕緣構件
    16a‧‧‧內圓周表面
    18‧‧‧帶狀加熱器構件
    18a‧‧‧谷部
    18b‧‧‧峰部
    20A‧‧‧U形體
    20B‧‧‧避免鬆脫構件
    20a‧‧‧避免鬆脫谷部支撐銷
    20b‧‧‧避免崩塌峰部支撐銷
    28‧‧‧外殼
    30‧‧‧水冷外套
    31‧‧‧上熱絕緣構件
    32‧‧‧頂板
    33‧‧‧空間
    35‧‧‧熱排放系統
    36‧‧‧強迫冷卻單元
    37‧‧‧熱排放接口
    38‧‧‧環形通道
    40‧‧‧冷卻劑注射開口
    49‧‧‧共同供應管道
    50‧‧‧溫度感測器
    51‧‧‧控制器
    58‧‧‧彎折線
    60‧‧‧狹縫
    61‧‧‧邊界表面
    62‧‧‧避免崩塌板
    62a‧‧‧銳部
    被包含於說明書中並構成說明書之一部分的附圖說明了本發明的實施例，其與上面的概略敘述以及後續的實施例詳細敘述解釋了本發明的原理。
    圖1顯示根據本發明一實施例之熱處理設備的概略縱剖面圖。
    圖2顯示熱絕緣構件與加熱器構件的放大橫剖面圖。
    圖3A顯示熱絕緣構件與加熱器構件的放大橫剖面圖，圖3B顯示其修改實施例的放大橫剖面圖。
    圖4顯示加熱器構件的安裝狀態。
    圖5顯示被安裝在熱絕緣構件之內圓周表面處之加熱器構件的透視圖。
    圖6A至6K顯示谷部支撐銷與峰部支撐銷。
    圖7顯示其上形成有狹縫的熱絕緣構件。
    圖8顯示垂直半分割的熱絕緣構件。
    圖9A與9B顯示支撐加熱器構件之峰部的避免崩塌板。
    16‧‧‧熱絕緣構件
    16a‧‧‧內圓周表面
    18‧‧‧帶狀加熱器構件
    18a‧‧‧谷部
    18b‧‧‧峰部
    20a‧‧‧避免鬆脫谷部支撐銷
    20b‧‧‧避免崩塌峰部支撐銷
    权利要求:
    Claims (12)
    [1] 一種熱處理爐，包含：處理室，用以在其中容納至少一待處理的目標物；圓柱形熱絕緣構件，罩覆該處理室的周緣；及加熱器，沿著該熱絕緣構件的內圓周表面設置，其中該加熱器包含沿著該熱絕緣構件之該內圓周表面設置的複數帶狀皺折加熱器構件，該等加熱器構件的每一者具有向外突伸的複數谷部與向內突伸的複數峰部。
    [2] 如申請專利範圍第1項之熱處理爐，其中該等加熱器構件的該等谷部係由複數避免鬆脫谷部支撐銷所支撐，該等加熱器構件的該等峰部係由複數避免崩塌峰部支撐銷所支撐，該等避免鬆脫谷部支撐銷與該等避免崩塌峰部支撐銷的每一者係部分地埋置在該熱絕緣構件中。
    [3] 如申請專利範圍第2項之熱處理爐，其中該等谷部支撐銷與該等峰部支撐銷的每一者包含一U形體以及形成在該U形體的兩端部處且耦合至該熱絕緣構件以避免該U形體自該熱絕緣構件鬆脫的複數避免鬆脫構件。
    [4] 如申請專利範圍第1項之熱處理爐，其中該等加熱器構件之該等谷部與該等峰部的每一上端部係由一彎折線所構成，該彎折線與該等加熱器構件的寬度方向係傾斜的。
    [5] 如申請專利範圍第1項之熱處理爐，其中複數垂直延伸的狹縫係形成在該圓柱形熱絕緣構件的該內圓周表面上。
    [6] 一種熱處理設備，包含：熱處理爐，具有用以在其中容納一或多個待處理之目標物的處理室，該熱處理爐的下端係開放以形成容器開口；罩蓋，用以開啟或關閉該容器開口；支撐單元，載於該罩蓋上並用以在其間以複數梯級方式裝載該等待處理之目標物；及舉升機構，用以垂直地移動該支撐單元與該罩蓋以開啟或關閉該容器開口而將該支撐單元載入該處理室中或自該處理室卸載，其中該熱處理爐包含：圓柱形熱絕緣構件，罩覆該處理室的周緣；及加熱器，沿著該熱絕緣構件的內圓周表面設置，其中該加熱器包含沿著該熱絕緣構件的該內圓周表面設置的複數帶狀皺折加熱器構件，該等加熱器構件的每一者具有向外突伸的複數谷部與向內突伸的複數峰部。
    [7] 如申請專利範圍第6項之熱處理設備，其中該等加熱器構件的該等谷部係由複數避免鬆脫谷部支撐銷所支撐，該等加熱器構件的該等峰部係由複數避免崩塌峰部支撐銷所支撐，該等避免鬆脫谷部支撐銷與該等避免崩塌峰部支撐銷的每一者係部分地埋置在該熱絕緣構件中。
    [8] 如申請專利範圍第7項之熱處理設備，其中該等谷部支撐銷與該等峰部支撐銷的每一者包含一U形體以及形成在該U形體的兩端部處且耦合至該熱絕緣構件以避免該U形體自該熱絕緣構件鬆脫的複數避免鬆脫構件。
    [9] 如申請專利範圍第6項之熱處理設備，其中該等加熱器構件之該等谷部與該等峰部的每一上端部係由一彎折線所構成，該彎折線與該等加熱器構件的寬度方向係傾斜的。
    [10] 如申請專利範圍第6項之熱處理設備，其中複數垂直延伸的狹縫係形成在該圓柱形熱絕緣構件的該內圓周表面上。
    [11] 如申請專利範圍第1項之熱處理爐，其中該等加熱器構件係沿著該熱絕緣構件的該內圓周表面成螺旋形地設置。
    [12] 如申請專利範圍第6項之熱處理設備，其中該等加熱器構件係沿著該熱絕緣構件的該內圓周表面成螺旋形地設置。
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